終段バイポーラトランジスタDCアンプ

先日、スイッチング用パワーMOS FETで作ったミニDCアンプの製作を紹介しました。ここ１週間ほど毎日使っていたところ、
　・放熱が悪い　（一応、温度補償の効く範囲ではあるが）
　・高音域の歪みが気になってきた　（サ行がハッキリと聞こえない気がする）
　・出力に余裕がない
と気になるところが出てきました。真空管式のアンプならば回路変更が大変なので、そのまま我慢して使っているところなんですが、半導体式ならば基板ごと変えれば回路換装が簡単です。高域は位相補正のやり方や、デカップリングコンデンサを変えると、驚くほど音質が変わりますが、せっかくなので、やはり基本に戻ってバイポーラトランジスタを終段にしたDCアンプに作りかえることにしました。ケースとVR、端子類は使い回しです。
回路は、初段デュアルJFET(uPA68H)の差動で、ブートストラップカレントミラー負荷です。２段目はNPN-PNPの対称定電流負荷(2SA944/2SC1185)、３段目はコンプリエミッタフォロワドライバ(2SA1680/2SC4408)、終段は2SA1302/2SC3234です。バイアスには2SC3421を使って終段の放熱器と熱結合しています。電圧利得は20dBで、回路のアチコチに位相補正回路を差し挟みました（説明が長くなるので省略）。
歪み計で測定しながらアイドリング電流の最適値を決めたところ、70〜100mAで３次高調波レベルが最小になりました。歪みの主はスイッチングノイズですが、この挙動は石のロットによっても異なるようです。今回は大きい放熱器を付けて、シャーシに熱を逃がしていますので、100mA流しても放熱器がちょっとぬるくなるだけで済みます。

さて、出てきた音ですが、第一印象はさわやかな音。高速で立ち上がりがシャープ。サ行がハッキリと聞こえました。正しくスピーカーのコーンを駆動しているのが実感できます。先のFETアンプと比べると全くの別物のように感じます。しばらくこれを使ってみて、気に入らなくなったらまた改造することにします。次は電源を強化したいところです。